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MOS管的主要参数如下

2022-03-30 03:00:00 来源:http://hn.combat-elec.com/news785873.html

MOS管的主要参数如下:

1.栅源击穿电压BVGS-VGS当栅极电流IG从零开始急剧增加的过程中,栅源电压增加,这就是所谓的栅源击穿电压BVGS。

2.导通电压VT-导通电压(也称阈值电压):使源极S和漏极D之间的始端构成导通的沟道;-标准N  沟道MOS晶体管所需的栅极电压,VT约为3 ~ 6V-经过工艺改进,MOS晶体管的VT值可降至2 ~ 3V。3.漏源击穿电压BVDS-在VGS=0的条件下(增强型),VDS当ID开始急剧增加的过程中漏源电压中被称为漏源击穿电压BVDS-ID。增长有两个原因:

(1)漏极左侧附近耗尽层的雪崩击穿。

单向可控硅,MOS管
(2)漏源穿通击穿——部分MOS  中沟道长度较短,时不时增加VDS会使漏区耗尽层时不时向源区延伸,使沟道长度为零,即发生漏源穿通。穿通后,源区的大部分载流子将被耗尽层中的电场直接吸收,并到达漏区,产生大的ID。

4.DC输入电阻RGS——即施加在栅极和源极之间的电压与栅极电流之比——这一特性有时用流经金属氧化物半导体晶体管栅极RGS的栅极电流来表示,很容易超过1010。

5.低频跨导GM——在VDS为固定值的条件下,引起这种变化的漏极电流微变量与栅源电压微变量之比称为跨导——GM反映栅源电压对漏极电流的控制能力——它是表征MOS晶体管放大能力的一个重要参数——通常在几到几mA/V的范围内。

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