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单向可控硅的参数特性以及分类方法

2022-03-18 03:00:00 来源:http://hn.combat-elec.com/news780790.html

单向可控硅的参数特性以及分类方法:

单向可控硅的概述:

单向可控硅也称晶闸管,属于常见的半导体元件,其特点是组成简单、功率大、占用空间小等等。现在越来越多的被相关行业所关注,其应用领域也有很多,如电视、风扇等家用电器都应用了晶闸管。目前更常用的是普通的单向晶闸管,具有较为实用的可控性。

单向可控硅元件符号解释:

①断态电压临界上升率dv/dt:在额定结温和门极断路时,使元件从断态转入通态的更低电压上升率。

②门极触发电流IGT:在室温下,主电压为6伏直流电压时,使元件完全开通所必须的更小门极直流电流。

单向可控硅,MOS管
③断态重复峰值电压VDRM:为不重复断态峰值电压的90%。

④门极触发电压VGT:对应于门极触发电流时的门极直流电压。

⑤断态重复平均电流IDR:对应于断态重复峰值电压下的平均漏电流。

⑥断态不重复峰值电压VDSM:门极断路时,在正向伏安特性曲线急剧弯曲处的断态峰值电压。

⑦断态不重复平均电流IDS:门极断路时,在额定结温下对应于断态不重复峰值电压下的平均漏电流。

⑧通态平均电流IT:在环境温度为+40℃和规定冷却条件下,元件在电阻性负载的单相工频正弦半波,导通角不小于170度的电路中,当结温稳定并不超过额定结温时,所允许的更大通态平均电流。

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