湖南MOS管和三极管存在着什么差异呢

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湖南MOS管和三极管存在着什么差异：

MOS管(MOS管)导通压降小，导通电阻低，栅极驱动不需要电流，损耗低，驱动电路简单，自带保护二极管，热阻特性好，适合大功率并联，但开关速度不高，价格昂贵。三极管开关速度快，大三极管的Ic可以做得很大，缺点是损耗大，基极驱动电流大，驱动复杂。

MOS管与三级管的比较：

①MOS管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件；

②FET之所以叫单极器件，是因为它用多数载流子导电，三极管之所以叫双极器件，是因为它多载流子，少载流子导电。

FET的制造工艺更适合集成电路：

MOSFET类似双极晶体管，电极对应为BG、es、cd。由场效应管组成的放大电路类似于三极管放大电路。三极管放大电路的基极电路需要偏置电流，而FET放大电路的FET栅极没有电流，所以FET放大电路的栅极电路需要合适的偏置电压。FET放大电路与三极管放大电路的主要区别在于：FET是压控器件，通过栅源间的电压变化来控制漏极电流的变化，放大效果通过跨导来体现；三极管是一种电流控制器件，通过基极电流的变化来控制集电极电流的变化，放大效果通过电流放大倍数来体现。

MOS管放大器电路分为三种配置：公共源极、公共漏极、和公共栅极。分析三种配置时，可以与双极晶体管的共发射极、进行比较。

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