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湖南MOS管和三极管存在着什么差异呢

2021/3/29 3:00:00 来源:http://hn.combat-elec.com/news582324.html

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湖南MOS管和三极管存在着什么差异:

MOS管(MOS管)导通压降小,导通电阻低,栅极驱动不需要电流,损耗低,驱动电路简单,自带保护二极管,热阻特性好,适合大功率并联,但开关速度不高,价格昂贵。三极管开关速度快,大三极管的Ic可以做得很大,缺点是损耗大,基极驱动电流大,驱动复杂。

MOS管与三级管的比较:

①MOS管是电压控制元件,而晶体管是电流控制元件;

②FET之所以叫单极器件,是因为它用多数载流子导电,三极管之所以叫双极器件,是因为它多载流子,少载流子导电。

MOS管,双向可控硅
③场效应管的灵活性优于三级管。

FET的制造工艺更适合集成电路:

MOSFET类似双极晶体管,电极对应为BG、es、cd。由场效应管组成的放大电路类似于三极管放大电路。三极管放大电路的基极电路需要偏置电流,而FET放大电路的FET栅极没有电流,所以FET放大电路的栅极电路需要合适的偏置电压。FET放大电路与三极管放大电路的主要区别在于:FET是压控器件,通过栅源间的电压变化来控制漏极电流的变化,放大效果通过跨导来体现;三极管是一种电流控制器件,通过基极电流的变化来控制集电极电流的变化,放大效果通过电流放大倍数来体现。

MOS管放大器电路分为三种配置:公共源极、公共漏极、和公共栅极。分析三种配置时,可以与双极晶体管的共发射极、进行比较。

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