湖南MOS管和IGBT相比较于哪个具有更大的优势呢

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湖南MOS管和IGBT相比较于哪个具有更大的优势：

IGBT是通过在MOSFET的漏极上添加一层而形成的， IGBT实际上是MOSFET和晶体管的组合。 MOSFET具有高导通电阻的缺点，但IGBT克服了这一缺点，而IGBT在高电压下仍具有低导通电阻。

此外，对于功率容量相近的IGBT和MOSFET，由于IGBT具有关断尾部时间，因此IGBT的速度可能比MOSFET的速度慢。由于IGBT的关断拖尾时间长，空载时间也将更长，这将影响通断电平。

在电路中，选择MOS管作为电源开关管还是IGBT管是工程师经常遇到的问题。如果考虑系统电压，电流，开关功率等因素。

通常，MOSFET的优势在于它具有良好的高频特性，并且工作频率可以达到数百kHz甚至高达MHz。缺点是在高电压和大电流情况下导通电阻很大。在大功率情况下表现出色，具有低导通电阻和高耐压。

MOSFET用于开关电源，镇流器，高频感应加热，高频逆变焊机，通信电源和其他高频电源领域； IGBT主要用于焊接机，逆变器，变频器，电镀和电解电源，超音频感应加热等领域。

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