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湖南MOS管选型方法主要分为什么

2020/12/7 3:00:00 来源:http://hn.combat-elec.com/news515557.html

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湖南MOS管选型方法主要分为哪些:

①明确规定

在明确电流以后,就需要测算系统软件的排热规定。设计方案工作人员务必考虑到二种不一样的状况:最坏状况和具体情况。提议选用对于最坏状况的数值,由于这一結果出示更高的安全性容量,能保证 系统软件不容易无效。在MOS管的材料表里也有一些必须留意的精确测量数据信息,例如封裝元器件的半导体材料结与自然环境中间的传热系数,及其较大 的结温。

元器件的结温相当于较大 工作温度再加上传热系数与输出功率损耗的相乘,即结温=较大 工作温度+(传热系数×输出功率损耗)。依据这一方程组能解出系统软件的至大功率损耗=I2×RDS(ON)。

因为设计方案工作人员已明确即将根据元器件的较大 电流,因而能够测算出不一样溫度下的RDS(ON)。特别注意的是,在解决简易热实体模型时,设计方案工作人员还务必考虑到半导体材料结/元器件机壳及机壳/自然环境的热导率;即规定印刷线路板和封裝不容易马上提温。

雪崩击穿(指半导体元器件上的反方向工作电压超出最高值,并产生强静电场使元器件内电流提升)产生的电流将损耗输出功率,使元器件溫度上升,并且有可能毁坏元器件。半导体公司都是会对元器件开展山崩检测,测算其山崩工作电压,或对元器件的稳健性开展检测。

单向可控硅,MOS管
测算额定值山崩工作电压有二种方式;一是统计法,另一是热测算。而热测算由于比较好用而获得普遍选用。除测算外,技术性对雪崩效应也是有非常大危害。比如,芯片规格的提升会提升 抗山崩工作能力,最后提升 元器件的稳健性。对终端用户来讲,这代表着要在系统软件中选用更高的封裝件。

②明确电源开关特性

选择MOS管的最后一步是明确其电源开关特性。危害电源开关特性的主要参数有很多,但最重要的是栅极/漏极、栅极/源极及漏极/源极电容器。由于在每一次电源开关时必须对这种电容器电池充电,会在元器件中造成开关损耗;MOS管的电源开关速率也因而被减少,元器件高效率随着降低;在其中,栅极正电荷(Qgd)对电源开关特性的危害较大 。

为测算电源开关全过程中元器件的总耗损,设计方案工作人员务必测算启用全过程中的耗损(Eon)和关掉全过程中的耗损(Eoff),从而计算出MOS管电源开关总输出功率:Psw=(Eon+Eoff)×电源开关頻率。

③封裝要素考虑

不一样的封裝规格MOS管具备不一样的传热系数和损耗输出功率,必须考虑到系统软件的排热标准和工作温度(如是不是有风冷、热管散热器的样子和尺寸限定、自然环境是不是封闭式等要素),基本准则便是在确保输出功率MOS管的升温和系统软件高效率的前提条件下,选择主要参数和封裝更通用性的输出功率MOS管。

博昌达电子科技有限公司专业提供湖南松翰单片机,湖南NIKOSEM,湖南单向可控硅,双向可控硅,MOS管,场效应管等产品,通过数年来技术积累支撑,博昌达的产品被社会认可并喜爱,受到各地经销商和用户的一致好评!

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