单向可控硅的基本参数有哪些呢

单向可控硅的基本参数有哪些：

①额定值通态均值电流量IT(AV)

在工作温度为40℃及要求的热管散热标准、纯电阻负荷、元器件导通角超过己于170&;#176;电视角时，晶闸管所容许的单相电直流余弦半波电流量在一个周期时间内的较大均值。

②通态均值工作电压UT(AV)

在要求环境、溫度热管散热标准下，元器件通以额定值通态均值电流量，结温平稳时，阳极氧化和负极间工作电压均值。

③操纵极开启工作电压UGT

在室内温度下，阳极氧化和负极间加6V工作电压时，使晶闸管从截至变成彻底通断所需的较少操纵极交流电压。

④操纵极开启电流量IGT

在室内温度下，阳极氧化和负极间加6V工作电压时，使晶闸管从截至变成彻底通断所需的操纵极较少直流电流。

在操纵极断掉和顺向阻隔的标准下，阳极氧化和负极间可反复释放的顺向较高值工作电压。其标值要求为断态下反复较高值工作电压UPSM的80%。

⑥反方向反复高值工作电压UPRV

在操纵极断掉的标准下，阳极氧化和负极中间可反复释放的反方向较高值工作电压。其标值要求为反方向不反复较高值工作电压URSM的80%。一般把UPFV和UPRV中较小的标值做为元器件的额定电流。

⑦保持工作电压IH

在室内温度和操纵极短路时，晶闸管从很大的通态电流量降至恰好能维持元器件处在通态的至少电流量，一般为几十到一百多mA。假如根据的顺向电流量低于此值，晶闸管就不可以持续保持通断而自主截至。