保护双向可控硅的措施有哪些呢

保护双向可控硅的措施有哪些：

可控硅元器件的关键缺点是承担过电流保护和过压的工作能力很差，即便短期内的过电流和过压，也将会造成 可控硅的毁坏，因此务必对它选用适度的保障措施。

①过电流保护维护

可控硅出現过电流保护的关键缘故是负载、短路故障和误开启。过电流保护维护有下列几类：

迅速容断器迅速容断器中的溶丝是银质的，要是采用适度，在一样的过电流保护倍率下，它能够在可控硅毁坏前先溶断，进而维护了可控硅。过电流继电器当电流量超出过电流继电器的整时间常数时，过电流继电器便会姿势，断开维护电源电路。但因为汽车继电器姿势到断开电源电路必须一定時间，因此只有作为可控硅的过压保护。负载截至维护运用过电流保护的数据信号将可控硅的开启数据信号后退，或使可控硅得导通角减少，或果断终止开启维护可控硅。

过压将会造成可控硅的穿透，其关键缘故是因为电源电路中电感元件的导通、断路器融断或可控硅在通断与截至间的变换。对过电压保护可选用二种对策阻容维护阻容维护是电阻器和电容串联后，接在可控硅电源电路中的一种过压保护措施，其本质是运用电力电容器两端电压不可以突然变化和电力电容器的静电场储能技术及其电阻器使能耗元器件的特点，把过压的动能变为静电场动能存储在静电场中，并运用电阻器把这些卡路里消耗掉。