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MOS管驱动电路设计方案必须考虑的因素分析

2020-05-02 03:00:00 来源：http://hn.combat-elec.com/news362675.html

MOS管驱动电路设计方案必须考虑的因素分析：

由于驱动器路线布线也有内寄生电感器，而内寄生电感器和MOS管的结电容会构成一个LC谐振电路，假如立即把驱动器集成ic的輸出端收到MOS管栅极得话，在PWM波的升高降低沿会造成挺大的波动，造成MOS管大幅度发烫乃至发生爆炸，一般的解决方案是在栅极串连10欧上下的电阻器，减少LC谐振电路的Q值，使波动快速衰减系数掉。

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由于MOS管栅极高输入阻抗的特点，一点点静电感应或是影响都将会造成MOS管欺诈通，因此提议在MOS管GS中间串联一个10K的电阻器以减少输入阻抗。

假如担忧周边输出功率路线上的影响藕合回来造成一瞬间髙压穿透MOS管得话，能够在GS中间再串联一个18V上下的TVS瞬态抑止二极管，TVS能够觉得是一个反应时间迅速的稳压极管，其一瞬间能够承担的输出功率达到好几百高于一切KW，能够 用于消化吸收一瞬间的影响单脉冲。

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