博昌达告诉你怎么区分低压与高压湖南MOS管

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湖南MOS管的结构是在一块夹杂浓度值较低的P型半导体材料硅衬底上，用半导体材料光刻、扩散工艺制做2个高夹杂浓度值的N+区，并且用金属材料铝引出来2个电级，各自做为漏极D和源极S。随后在漏极和源极中间的P型半导体材料表层覆盖一层太薄的二氧化硅（Si02）电缆护套膜，在再这一电缆护套膜上用上一个铝电级，做为栅极G。这就组成了一个N沟道（NPN型）加强型MOS管。它的栅极和其他电级间是绝缘层的。

一样用所述同样的方式在一块夹杂浓度值较低的N型半导体材料硅衬底上，用半导体材料光刻、扩散工艺制做2个高夹杂浓度值的P+区，及所述同样的栅极制做全过程，就做成为一个P沟道（PNP型）加强型MOS管。

MOS管的分类：

MOSFET是FET的一种（另一种是JFET），能够 被生产制造成加强型或耗光型，P沟道或N沟道4种种类，但具体运用的只能加强型的N沟道MOS管和加强型的P沟道MOS管，因此一般 提及NMOS，或是PMOS指的就是说这二种。

MOS管的归类方式有多种多样归类方式：

①按工作电压归类

可分成中底压mos管和髙压mos管

②按输出功率归类

③可分成结型管和绝缘层栅型

结型管(JFET)：结型场效应管有二种构造方式，他们是N沟道结型场效应管和P沟道结型场效应管。

绝缘层栅型：绝缘层栅场效应管也是二种构造方式，他们是N沟道型和P沟道型。不论是哪些沟道，他们又分成加强型和耗光型二种。

按沟道归类：

可分成N沟道和P沟道管（在符号图中可见到正中间的箭头符号方位不一样）。

MOS管的差别：

底压mos管与髙压mos管的差别：髙压mos管工作电压在400V~1000V上下，底压mos管在1~40V上下。

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